发布时间：2024-04-28 来源：网络
这是SK hynix的第三代产品，其PUC（Periphery under Cell）设计的特点是通过在存储器单元阵列下放置外围逻辑来减小芯片尺寸，类似于英特尔和美光的CMOS下阵列设计。（SK hynix将这种管芯布局及其charge trap闪存单元的组合称为“ 4D NAND”。）这一代的变化包括位生产率提高了35％（仅比理论上从128层增长到176层时的值稍低），单元读取速度提高20％。NANDdie和SSD控制器之间的最大IO速度已从128L NAND的1.2GT / s增加到176L NAND的1.6GT / s。SK海力士已开始向SSD控制器公司提供512Gbit TLC部件的样品，以开发兼容的固件。SK hynix计划首先将其176L NAND用于移动产品（即UFS模块），该产品将在明年中期左右推出，其读取速度提高70％，写入速度提高35％。然后，消费者和企业级固态硬盘将跟进移动产品。SK海力士还计划基于其176L工艺推出1Tbit模具。根据该公告，SK hynix在即将到来的3D NAND时代将具有相当的竞争力。它们的运行时间可能比美光的计划稍晚一些，但美光将其128升的产品用作小容量测试工具之后，一直在寻求异常快速的过渡到176升，以解决因从floating gate转换为charge trap设计而引起的任何问题。同时，英特尔的144L NAND芯片将于明年年初上市，而Kioxia / Western Digital 112L NAND芯片也将随时出现。三星的128L NAND几个月前开始在980 PRO中发货。虽然他们尚未正式宣布其下一代规格，但预计明年春季将开始生产，其层数约为176L，并将成为三星的首款使用string stacking的技术的产品。
据美媒Anandtech报道，美光日前宣布了其第五代3D NAND闪存，新一代产品拥有破纪录的176层构造。报道指出，新型176L闪存是自美光与英特尔的存储器合作解散以来推出的第二代产品，此后美光从浮栅（ floating-gate）存储单元设计转变为电荷陷阱（charge-trap）单元。美光公司的上一代3D NAND采用的是128层设计，这是它们的短暂过渡节点，可帮助他们解决向陷阱闪存切换碰到的任何问题。美光的128L闪存在市场上的占有率极低，因此在许多情况下，他们的新型176L闪存也将替代其96L 3D NAND。根据报道，美光并没有披露其176L NAND的更多技术细节。但就目前而言，我们知道他们的第一个176L部件是使用两个88层平台的字符串堆叠（string stacking ）构建的512Gbit TLC芯片，就可以制造多少层NAND闪存单元而言，美光现在似乎仅次于三星。报道进一步指出，在使用电荷陷阱单元设计替代栅极设计之后，美光似乎已大大降低了闪存每一层的厚度。数据显示，176L裸片的厚度仅为45μm，总厚度与美光公司的64L浮栅3D NAND相同。而一个16 die堆叠式封装的厚度不到1.5mm，这适合大多数移动和存储卡使用场景。与上一代的Micron 3D NAND一样，芯片的外围逻辑大部分是在NAND存储单元堆栈下制造的，Micron将该技术称为“CMOS under Array”（CuA）。这帮助美光带来了一些最小的裸片尺寸，美光估计他们的176L 512Gbit裸片比其竞争对手目前提供的最佳裸片小约30％。从报道我们还可以看到，美光的176L NAND支持的接口速度为1600MT / s，高于其96L和128L闪存的1200MT / s。比其他解决方案高33％。就容量而言，176层管芯可以容纳20-30小时的1920x1080p视频。与96L NAND相比，读（写）延迟改善了35％以上，与128L NAND相比，改善了25％以上。与使用96L NAND的UFS 3.1模块相比，美光科技的总体混合工作负载改善了约15％。美光公司的176L 3D NAND目前其新加坡工厂制造，并已经开始批量生产，并且已经在一些Crucial品牌的消费类SSD产品中发货。但是，美光尚未说明哪些特定Crucial产品现在正在使用176L NAND（就此而言，则使用其128L NAND），因此我们希望目前这是一个相当小批量的产品。尽管如此，在明年，我们应该能看到美光176L NAND的产量提高到比其128L工艺所能达到的更高的水平，并且我们可以期望发布基于此176L NAND的各种各样的产品，并取代大多数使用其96L NAND的产品。美光方面表示，公司的176层NAND具有里程碑式的意义，这有几个原因。一方面，该技术的密度是早期3D NAND设计的近10倍，这就意味着智能手机可以做更多的事情，可以存储更多的东西；其次，对于更多的人来说价格甚至更低，从而改善了他们的日常生活。他们进一步支持，这种新型176层器件不仅比以前的器件密度更高，而且还通过创新的电路设计融合了业界最高的数据传输速率。美光公司的工程师设计并建造了这种超高密度存储，同时对NAND进行了重大的架构更改，这将使下游设备的创新在未来数年内得以实现。
关键字：SK海力士引用地址：SK海力士发布176层3D NAND，读取、写入速度均大幅提升
正在韩媒纷纷质疑东芝发布96层3D NAND新闻的时机，另一韩媒爆料称，SK海力士(SK Hynix)已经开始量产72层3D NAND。 目前这一消息经业界证实，SK海力士第四代72层的3D NAND进入量产，主要用于移动装置，并已交货给客户。SK海力士4月份才宣布研发出72层3D NAND，三个月内将进入量产。此次量产速度惊人，以三星电子为例，该公司去年8月研发出64层3D NAND，今年6月才宣布量产，大约花了十个月时间，而SK海力士只用了三个月时间。 至于产业最关心的良率问题，据传SK海力士的生产效能极佳，72层3D NAND生产率提高30%，与三星64层3D NAND近似，而且达到“黄金良率”(golden yield)，
新浪科技讯 北京时间12月18日晚间消息，彭博社今日援引知情人士的消息称，中国商务部已开始对东芝出售芯片交易展开评估，评估官员目前对SK Hynix在该交易中所扮演的角色表示担忧。 该知情人士称，中国商务部的反垄断官员认为，如果批准该交易，则将来SK Hynix将拥有出售后的东芝芯片业务的大量股权。 知情人士还称，该交易要想获得中国政府的批准，东芝可能需要做出一些补救措施，确保不会影响市场的公平竞争，从而打消中国监管部门的担忧。这样，中国商务部或有条件批准该交易。 当前，中国是全球最大的半导体市场。为了打造自己的半导体产业，中国每年在该领域的投资高达数十亿美元。 今年9月28日，贝恩资本财团正式与东芝签约，
据路透社北京时间12月27日报道，中国发改委正在密切关注近期手机存储芯片价格的飙升，可能会对潜在的企业串谋操纵价格行为展开调查。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。 《中国日报》引用中国发改委反垄断局处长徐新宇的线个月急剧上涨后，发改委正在对市场行情保持警惕。 “我们已经注意到价格的飙升，将会更多关注未来可能由行业的‘价格操纵’行为引发的问题，”徐新宇称。他指的是，为了获得最大利润，多家公司可能会联手尽可能地推高芯片价格。 存储芯片需求的飙升和供应的吃紧造就了存储芯片市场的“超级周期”，这些芯片被用于驱动服务器和智能机。这一“超级周期”推高了芯片价格以及 三星 电子、 SK海力士
2012年4月5日，中国上海 –Spansion公司（纽约证交所代码：CODE）与SK海力士公司近日宣布结成战略同盟，并针对嵌入式应用市场发布4x、3x、2x节点Spansion SLC NAND产品。基于双方合作开发的首款Spansion® SLC NAND产品将于2012年第二季度面世。作为合作的一部分，双方将同时签订专利交互授权协议。 Spansion与SK海力士宣布NAND战略合作 Spansion的NAND产品主要针对诸如汽车电子、工业电子以及通信等嵌入式应用领域，以补充NOR产品供应，并提供完整产品解决方案。Spansion公司的高性能、高可靠性SLC NAND产品系列将提供广受业界认同的客户支持以及产品长期
宣布NAND战略合作 /
集微网消息，根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，在北美数据中心的需求持续强劲，以及DRAM供给端产能与制程受限制下，并不能满足整体服务器内存市场需求，Server DRAM供不应求的情形在第三季度更为显著。受到平均零售价（Average Selling Price）垫高带动，三大DRAM原厂第三季营收成长约25.2%。 DRAMeXchange分析师刘家豪指出，进入第四季，在服务器出货动能不减的情况下，整体Server DRAM供不应求的状况将更为明显，Server DRAM第四季合约价将持续上涨6%至10%，可望带动厂商营收与利润率表现再创新高。 三星（Samsung） 以目前市场规模来看，三星受
12 月 21 日消息，根据韩媒 ETNews 报道，三星和 SK 海力士都计划 2024 年增加半导体设备投资。 三星计划投资 27 万亿韩元（IT之家备注：当前约 1482.3 亿元人民币），比 2023 年投资预算增加 25%；而 SK 海力士计划投资 5.3 万亿韩元（当前约 290.97 亿元人民币），比今年的投资额增长 100%。 报道中指出，三星和 SK 海力士在增加半导体设备投资之外，还提高了 2024 年的产能目标。 报道称三星将 DRAM 和 NAND 闪存的产量提高 24%，而 SK 海力士的目标是将 DRAM 产能提高到 2022 年年底水平。 根据集邦咨询公布的 2023 年第 3 季度营收数据，
8月23日， 2021中国国际智能产业博览会（以下简称2021智博会）在重庆举行。以“智能化：为经济赋能，为生活添彩”为主题，结合智能制造、智能技术、智能应用领域新发展、新趋势，围绕“芯屏器核网”全产业链、“云联数算融”全要素群和“住业游乐购”全场景设置专题展区。作为行业领先的半导体企业，SK海力士今年再次亮相智博会，以创新科技引领行业新技术，赋能区域经济，添彩创新生活。 2021中国国际智能产业博览会——“智能化：为经济赋能，为生活添彩” 本次智博会SK海力士分别在重庆馆和韩国馆设立展台，主要展示重庆厂生产的最新移动智能终端用存储芯片。 与此同时，作为引领数据时代发展的领头羊，SK海力士还将ESG（Environmental
据重庆晨报报道，SK海力士半导体（重庆）有限公司对外协力总监姜真守透露，SK海力士重庆芯片封装项目（即二期工程）设备搬入调试完成后，将在9月前后陆续投产。 姜真守表示，目前，封装和测试均在一期工程内完成，二期工程建成后，一期工程将专注测试、二期工程则专注封装。 据悉，SK海力士重庆项目二期项目完成后，一期工程和二期工程合并产能将是现有产能的2.5倍。年生产芯片将有望接近20亿只。届时，重庆公司芯片年产量将占到整个SK海力士闪存产品的40%以上，成为其全球海外最大的封装测试基地。 SK海力士封测二期项目累计投资12亿美元建设NAND Flash封装测试生产线日，作为市级重点引进项目，重庆与韩国SK海力士半导体
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